Les axes transverses liés à la croissance des matériaux III-V et développés dans le laboratoire sont : calcul thermodynamique, calcul des propriétés optiques et électroniques des nouveaux alliages et modélisation des dispositifs.
Membres impliqués : Hédi Fitouri, Nasr Elayech, Mohamed Mourad Habchi, Mouna Bennour, Sana Mnassri, Ahmed Rebey, Noureddine Chaaben.
- Pour la recherche des nouveaux alliages tel que, par exemple, GaAsBi, des calculs thermodynamiques de croissance sont souvent effectués au préalable.
Références:
Thermodynamic study of the ternary system gallium-arsenic-bismuth, Elayech, N., Fitouri, H., Essouda, Y., Rebey, A., El Jani, B.
(2015) Physica Status Solidi (C) Current Topics in SolidState Physics,12 (1-2), pp. 138-141.
- Des calculs d’ingénierie de bande, basés sur la théorie k.p, sur les matériaux à base de III-V : Bi tel que, par exemple, GaNAsBi sont souvent effectués
3D plot of the mismatched GaNAsBi/GaAs band gap and spin-orbit splitting energies versus N and Bi alloy contents were varying from 0 to 0.12. For more clarity, a strength corresponding color bar was added. Iso-band gap and spin-orbit splitting curves are presented in the same figure. (a2, a3) The Eg and ∆so evolution from GaNAs (GaAsBi) to GaNAsBi alloys by Bi (N) addition. (b) A contents space map of the band gap and the spin-orbit splitting energies.
- La modélisation des structures quantiques tels que, par exemple, les hétérostructures à base de GaAsBiN et les boites quantiques à base de GaN/AlGaN et les dispositifs optoélectroniques émetteurs et récepteurs de lumière sont devenus parmi les activités permanentes du laboratoire.
Energy band diagrams and the wave functions associated to the first electrons and holes levels for strain-balanced t2-GaNx2As1-x2-y2Biy2/t1-GaNx1As1–x1-y1Biy1/GaAs type-II “W” shaped MQWs: operating at (a) 1.55μm and (b) 1.65μm
Réferences:
The band structure calculation of tensile strained GaNAsBi/GaAs quantum well heterostructure,
Ajnef, N., Habchi, M.M., Rebey, A.
(2022) Micro and Nanostructures, 164, art. no. 107156.
GaAs-based strain-balanced GaNxAs1-x-yBiy type-I and -II multi-quantum wells for near-infrared photodetection range,
Ajnef, N., Habchi, M.M., Rebey, A.
(2021) Thin Solid Films, 726, art. no. 138655 .
Theoretical study of strained GaNAsBi/GaAs quantum structures for application in infrared range,
Jemmali, W.Q., Ajnef, N., Habchi, M.M., Rebey, A.
(2021) Materials Science in Semiconductor Processing, 125, art. no. 105615.
Biaxial strain effects on the band structure and absorption coefficient of GaAs1-x-yNxBiy/GaAs MQWs calculated using k.p method,
Ajnef, N., Jemmali, W.Q., Habchi, M.M., Rebey, A.
(2020) Optik, 223, art. no. 165484.
