Le laboratoire de recherche sur les hétéro-épitaxies et applications (LRHEA) est créé en 2020 au sein de la Faculté des Sciences de Monastir sur la base des équipements et de l’effectif de l’unité de recherche sur les hétéro-épitaxies et applications (URHEA) (2005-2019), avec l’intégration de plusieurs nouveaux membres durant la période 2019 – 2022.
Le laboratoire est spécialisé dans l’épitaxie et les caractérisations des semiconducteurs III-V à petit gap comme les III-Arséniures : (Ga, In, Al)As et à grand gap comme les III-Nitrures : (Ga, In, Al)N. L’optimisation de la croissance par épitaxie en phase vapeur par pyrolyse d’organométalliques (EPVOM) de ces matériaux, leurs dopages n et p, l’incorporation des éléments Bismuth, Vanadium et Scandium, ainsi que le calcul des propriétés thermodynamiques, électroniques et optiques des hétéro et nanostructures à base de ces matériaux font les principales activités du laboratoire. D’autres matériaux de la famille II-VI, oxydes métalliques ou colorants organiques ayant des applications pour l’environnement ou l’énergie sont également étudiés dans le LRHEA.
Les familles des matériaux étudiés dans le LRHEA possèdent des applications dans les domaines : télécommunication, énergie, environnement et santé.
Le LRHEA dispose de deux bâtis de croissance par EPVOM, une pour les III-Arséniures et l’autre pour les III-Nitrures. Ces bâtis font partie de l’unité de service commun pour la recherche (uscr EPVOM) hébergée par le laboratoire.
Le laboratoire dispose de plusieurs outils de caractérisations optiques, essentiellement la photoluminescence et la photo réflectance. Le laboratoire accède également à des techniques de caractérisations structurale (DRXHR), morphologique (AFM, MEB), et spectroscopiques (XPS et CL) grâce à des coopérations nationales et internationales.S
Visualiser Flayer LRHEA