Bâti 1 EPVOM III-N
Croissance des matériaux III-N pour l’optoélectronique : détecteur UV, LED et cellule solaire
Bâti 2 EPVOM III-As
Croissance des matériaux III-As pour l’optoélectronique : détecteur IR, détecteur à gaz et cellule solaire.
Banc 1- Photoluminescence et Photo-réflectance UV-V
Lasers 325 nm et 514 nm, lampes Xénon et halogène
Longueur d’onde
340-1600 nm
Température 10-300 K
Caractérisations optiques des semi-conducteurs à grand gap et des matériaux organiques pour l’environnement et l’énergie
Banc 2- Photoluminescence et Photo-réflectance IR
Lasers 514 nm et 633 nm, lampe halogène
Longueur d’onde
1500-4000 nm
Température 10-300 K
Caractérisations optiques des semi-conducteurs à faible gap pour la télécommunication et l’énergie.
Spectrophotomètres UV-V-IR
Analyse spectrale : Réflectance, Transmittance, Absorbance (couche mince, solution), Fluorescence (chimie, biologie et textile) et Electroluminescence (LED)
Effet Hall
Caractérisation électrique (mobilité et densité de porteurs ) des couches minces dopées n et p
Electro-photo-chimie
Nanostructuration de surface pour application en photocatalyse, formation de pseudo-substrat et matériaux poreux pour détecteurs à gaz
Microscope optique
Imagerie de surface.