Laboratoire de Recherches sur les Hétéro-Epitaxies et Applications

Code : LR20ES07

Sources et matériaux

Bâti EPVOM III-Arséniures EPVOM III-Nitrures
Sources Hydrure
AsH3
NH3
Sources OM Organometallics, electronic grad, ultra-high purity (equal or more than 99.9999%)
TMGa, TMAl, TMIn, TMBi
TMGa, TMAl, TMIn, Cp3Sc
Nouvelles sources OM Organometallics, electronic grad, ultra-high purity (equal or more than 99.9999%)
TMSb
TEB, CP2Mn
Sources Dopants
SiH4, VCl4, CCl4
SiH4, CP2Mg, VCl4
Gaz vecteur
H2
H2, N2
Pression
atmosphérique
réduite
Substrats
GaAs (SI, n et p) orienté (001), (11n)n= 0,1,2,3,4,5) et désorienté 2° et 10 ° InAs (SI, n et p) GaSb (SI)
Al2O3 plan-c et plan-r Si orienté (001), (111) et (110) GaAs (SI, n ou p) orienté (001), (11n)n= 0,1,2,3,4,5)
Matériaux
GaAs, AlAs, GaAlAs, InGaAs, GaAsBi, InAsBi,…
GaN, AlN, AlGaN, InN, InGaN, GaBiN, GaScN, AlScN,…
Nouveaux matériaux
GaSb, GaAsSb, GaSbBi, InGaSb,…
BN, GaBN, AlGaBN, GaMnN GaSbN,…

Procédés de croissance et traitement post-croissance

  • Croissance en deux étapes avec tampon 2D.
  • Croissance en deux étapes avec tampon 3D : traitement SiN.
  • Recuit, décomposition et nano- structuration de surface.
  • Décapage chimique photo-assisté.

Thématique et Applications

  • Mode de croissance.
  • Propriétés structurales, électriques et optiques des couches minces : optimisation des conditions de croissance.
  • Mécanismes de diffusion des impuretés.
  • Fabrication des dispositifs : diode électroluminescente, cellule solaire et détecteurs UV et IR.